Taiwan Semiconductor Corporation - S12KC R7G

KEY Part #: K6442918

S12KC R7G Kainodara (USD) [432527vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.08552

Dalies numeris:
S12KC R7G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB. Rectifiers 12A, 800V, SMD RECTIFIER
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - JFET and Galios tvarkyklės moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S12KC R7G electronic components. S12KC R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12KC R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12KC R7G Produkto atributai

Dalies numeris : S12KC R7G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
Serija : -
Dalies būsena : Not For New Designs
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 12A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 12A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 800V
Talpa @ Vr, F : 78pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-8EWS12STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.