ON Semiconductor - FDB3652

KEY Part #: K6418516

FDB3652 Kainodara (USD) [67009vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.58642
  • 800 pcs$0.58350

Dalies numeris:
FDB3652
Gamintojas:
ON Semiconductor
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ON Semiconductor FDB3652 electronic components. FDB3652 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB3652, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB3652 Produkto atributai

Dalies numeris : FDB3652
Gamintojas : ON Semiconductor
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Serija : PowerTrench®
Dalies būsena : Not For New Designs
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 9A (Ta), 61A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 16 mOhm @ 61A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 53nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2880pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 150W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.