Microsemi Corporation - APTGT400A60D3G

KEY Part #: K6532532

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT400A60D3G electronic components. APTGT400A60D3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT400A60D3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : APTGT400A60D3G

Gamintojas : Microsemi Corporation

apibūdinimas : POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

Serija : -

Dalies būsena : Active

IGBT tipas : Trench Field Stop

Konfigūracija : Half Bridge

Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 600V

Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 500A

Galia - maks : 1250W

Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 400A

Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 500µA

Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 24nF @ 25V

Įvestis : Standard

NTC termistorius : No

Darbinė temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas : Chassis Mount

Pakuotė / Byla : D-3 Module

Tiekėjo įrenginio paketas : D3

Galbūt jus taip pat domina

VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.
A2C35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
A2C25S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.
A1P35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.