CY7C1512KV18-250BZXIT Kainodara (USD) [1056vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$49.12173
- 1,000 pcs$48.87735
- Dalies numeris:
- CY7C1512KV18-250BZXIT
- Gamintojas:
- Cypress Semiconductor Corp
- Išsamus aprašymas:
- IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II SRAM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Linijinis - analoginiai daugikliai, dalikliai, Sąsaja - telekomunikacijos, Įterptasis - DSP (skaitmeninių signalų procesoriai, Sąsaja - analoginiai jungikliai, multiplekseriai, , Sąsaja - serializatoriai, deserializatoriai, PMIC - akumuliatorių įkrovikliai, Duomenų rinkimas - skaitmeniniai potenciometrai and PMIC - ekrano tvarkyklės ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C1512KV18-250BZXIT electronic components. CY7C1512KV18-250BZXIT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C1512KV18-250BZXIT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY7C1512KV18-250BZXIT Produkto atributai
Dalies numeris :
CY7C1512KV18-250BZXIT
Gamintojas :
Cypress Semiconductor Corp
apibūdinimas :
IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
Volatile
Atminties formatas :
SRAM
Technologija :
SRAM - Synchronous, QDR II
Atminties dydis :
72Mb (4M x 18)
Laikrodžio dažnis :
250MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
-
Prieigos laikas :
-
Atminties sąsaja :
Parallel
Įtampa - tiekimas :
1.7V ~ 1.9V
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
165-LBGA
Tiekėjo įrenginio paketas :
165-FBGA (13x15)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
-
IS49RL18320-107EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
-
IS49RL36160-107EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
-
IS49RL18320-125EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz
-
IS49RL36160-125EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz
Karštos dalys
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR