ON Semiconductor - NVR1P02T1G

KEY Part #: K6404965

NVR1P02T1G Kainodara (USD) [536184vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.06898
  • 3,000 pcs$0.06271

Dalies numeris:
NVR1P02T1G
Gamintojas:
ON Semiconductor
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - Zener - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ON Semiconductor NVR1P02T1G electronic components. NVR1P02T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVR1P02T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVR1P02T1G Produkto atributai

Dalies numeris : NVR1P02T1G
Gamintojas : ON Semiconductor
apibūdinimas : MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 1A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 165pF @ 5V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 400mW (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-23-3
Pakuotė / Byla : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Galbūt jus taip pat domina