ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S83200G-6TL

KEY Part #: K938127

IS42S83200G-6TL Kainodara (USD) [19294vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.84145
  • 216 pcs$2.82732

Dalies numeris:
IS42S83200G-6TL
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M 32Mx8 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Sąsaja - CODEC, Specializuoti IC, Įterptasis - DSP (skaitmeninių signalų procesoriai, Laikrodis / laikas - realaus laiko laikrodžiai, PMIC - įtampos reguliatoriai - specialios paskirti, Sąsaja - valdikliai, Sąsaja - analoginiai jungikliai - specialios paski and Logika - skaitikliai, dalikliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL electronic components. IS42S83200G-6TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S83200G-6TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S83200G-6TL Produkto atributai

Dalies numeris : IS42S83200G-6TL
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM
Atminties dydis : 256Mb (32M x 8)
Laikrodžio dažnis : 166MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : -
Prieigos laikas : 5.4ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 3V ~ 3.6V
Darbinė temperatūra : 0°C ~ 70°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Tiekėjo įrenginio paketas : 54-TSOP II

Naujausios naujienos

Galbūt jus taip pat domina
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)