Infineon Technologies - IPW80R280P7XKSA1

KEY Part #: K6417050

IPW80R280P7XKSA1 Kainodara (USD) [24103vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.67907
  • 10 pcs$1.50058
  • 100 pcs$1.23048
  • 500 pcs$0.94531
  • 1,000 pcs$0.79725

Dalies numeris:
IPW80R280P7XKSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - SCR, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - Zener - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai and Tranzistoriai - JFET ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPW80R280P7XKSA1 electronic components. IPW80R280P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW80R280P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW80R280P7XKSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPW80R280P7XKSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 800V 17A TO247
Serija : CoolMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 800V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 17A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 280 mOhm @ 7.2A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 360µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 10nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1200pF @ 500V
FET funkcija : Super Junction
Galios išsklaidymas (maks.) : 101W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TO247-3-41
Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.