Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - masyvai
  5. MBR20080CT

GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT

KEY Part #: K6468657

MBR20080CT Kainodara (USD) [1351vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$32.04294
  • 25 pcs$22.84681
Dalies numeris:
MBR20080CT
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - JFET ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20080CT electronic components. MBR20080CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20080CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR20080CT Produkto atributai

Dalies numeris : MBR20080CT
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo konfigūracija : 1 Pair Common Cathode
Diodo tipas : Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 80V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) (vienam diodui) : 200A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 840mV @ 100A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5mA @ 20V
Darbinė temperatūra - sankryža : -
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : Twin Tower
Tiekėjo įrenginio paketas : Twin Tower
Galbūt jus taip pat domina
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA12T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY GP 300V 6A TO220AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Q-Series 300V 6A Dual Ultra-Low Qrr

  • LQA40T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 20A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 20A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA32T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V TO220. Rectifiers Q-Series 300V 16A Dual Ultra-Low Qrr

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

Karštos dalys