Vishay Siliconix - SI8409DB-T1-E1

KEY Part #: K6416155

SI8409DB-T1-E1 Kainodara (USD) [189774vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.19588
  • 3,000 pcs$0.19490

Dalies numeris:
SI8409DB-T1-E1
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI8409DB-T1-E1 electronic components. SI8409DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8409DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8409DB-T1-E1 Produkto atributai

Dalies numeris : SI8409DB-T1-E1
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 4.6A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 2.5V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 46 mOhm @ 1A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1.47W (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : 4-Microfoot
Pakuotė / Byla : 4-XFBGA, CSPBGA

Galbūt jus taip pat domina
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.