D1050N12TXPSA1 Kainodara (USD) [898vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$51.71377
- Dalies numeris:
- D1050N12TXPSA1
- Gamintojas:
- Infineon Technologies
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Infineon Technologies D1050N12TXPSA1 electronic components. D1050N12TXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for D1050N12TXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
D1050N12TXPSA1 Produkto atributai
Dalies numeris :
D1050N12TXPSA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A
Serija :
-
Dalies būsena :
Last Time Buy
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1050A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 1000A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
60mA @ 1200V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Chassis Mount
Pakuotė / Byla :
DO-200AB, B-PUK
Tiekėjo įrenginio paketas :
-
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 180°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
Karštos dalys
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T