Dalies numeris :
TSM080N03EPQ56 RLG
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
55A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
8 mOhm @ 16A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
750pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
54W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
8-PDFN (5x6)
Pakuotė / Byla :
8-PowerTDFN