JANTX1N5806US Kainodara (USD) [7311vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$7.53156
- 10 pcs$6.84495
- 25 pcs$6.33163
- 100 pcs$5.81821
- 250 pcs$5.30485
- Dalies numeris:
- JANTX1N5806US
- Gamintojas:
- Microsemi Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HR 2FFT
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5806US electronic components. JANTX1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX1N5806US Produkto atributai
Dalies numeris :
JANTX1N5806US
Gamintojas :
Microsemi Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Serija :
Military, MIL-PRF-19500/477
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
150V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
875mV @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 150V
Talpa @ Vr, F :
25pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SQ-MELF, A
Tiekėjo įrenginio paketas :
D-5A
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-5EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast
-
VS-80APS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers 800 Volt 1450 Amp
-
VS-APH3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast
-
-
-
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18