Microsemi Corporation - JANTX1N5806US

KEY Part #: K6443254

JANTX1N5806US Kainodara (USD) [7311vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$7.53156
  • 10 pcs$6.84495
  • 25 pcs$6.33163
  • 100 pcs$5.81821
  • 250 pcs$5.30485

Dalies numeris:
JANTX1N5806US
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HR 2FFT
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Diodai - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5806US electronic components. JANTX1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5806US Produkto atributai

Dalies numeris : JANTX1N5806US
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Serija : Military, MIL-PRF-19500/477
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 150V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 875mV @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 150V
Talpa @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SQ-MELF, A
Tiekėjo įrenginio paketas : D-5A
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-5EWX06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast

  • VS-80APS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers 800 Volt 1450 Amp

  • VS-APH3006-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

  • V30120SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30120SGHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30100SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB.