TPMR6J S1G Kainodara (USD) [414875vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.08915
- Dalies numeris:
- TPMR6J S1G
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers 35ns, 6A, 600V, Superfast Recovery Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Galios tvarkyklės moduliai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TPMR6J S1G electronic components. TPMR6J S1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPMR6J S1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPMR6J S1G Produkto atributai
Dalies numeris :
TPMR6J S1G
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
6A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.8V @ 6A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
40ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-277, 3-PowerDFN
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-277A (SMPC)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A