Microsemi Corporation - UES1106

KEY Part #: K6440832

UES1106 Kainodara (USD) [4189vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$10.60494
  • 10 pcs$9.80945
  • 25 pcs$9.01415
  • 100 pcs$8.37790
  • 250 pcs$7.31352

Dalies numeris:
UES1106
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - JFET, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation UES1106 electronic components. UES1106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UES1106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UES1106 Produkto atributai

Dalies numeris : UES1106
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 400V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.25V @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 400V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : A, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : -
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • BAT43 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35.

  • SD175SB45B.T

    SMC Diode Solutions

    PIV 45V IO 30A CHIP SIZE 175MIL.

  • SD165SC150B.T

    SMC Diode Solutions

    PIV 150V IO 30A CHIP SIZE 165MIL.