Dalies numeris :
TPN11006NL,LQ
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
17A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 200µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
23nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
2000pF @ 30V
Galios išsklaidymas (maks.) :
700mW (Ta), 30W (Tc)
Darbinė temperatūra :
150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakuotė / Byla :
8-PowerVDFN