Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc. - EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

KEY Part #: K936833

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Kainodara (USD) [15176vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,100 pcs$3.01935
Dalies numeris:
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Gamintojas:
Micron Technology Inc.
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Linijiniai - stiprintuvai - specialios paskirties, Sąsaja - analoginiai jungikliai, multiplekseriai, , Logika - šlepetės, Įterptieji - CPLD (sudėtingi programuojami loginia, PMIC - įtampos reguliatoriai - nuolatinės srovės n, Sąsaja - filtrai - aktyvi, Sąsaja - telekomunikacijos and Sąsaja - valdikliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D electronic components. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB1332BDBH-1DAAT-F-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Produkto atributai

Dalies numeris : EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Gamintojas : Micron Technology Inc.
apibūdinimas : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - Mobile LPDDR2
Atminties dydis : 1Gb (32M x 32)
Laikrodžio dažnis : 533MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : -
Prieigos laikas : -
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.14V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 105°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 134-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 134-VFBGA (10x11.5)

Naujausios naujienos

Micron NAND Flash
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND-Based MCP
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron LPDRAM
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Galbūt jus taip pat domina
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

Karštos dalys