Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5406GP-E3/54

KEY Part #: K6440190

1N5406GP-E3/54 Kainodara (USD) [283149vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.13063
  • 2,800 pcs$0.11839

Dalies numeris:
1N5406GP-E3/54
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,600V, STD SUPERECT
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5406GP-E3/54 electronic components. 1N5406GP-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5406GP-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5406GP-E3/54 Produkto atributai

Dalies numeris : 1N5406GP-E3/54
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.2V @ 3A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 400V
Talpa @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-201AD, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-201AD
Darbinė temperatūra - sankryža : -50°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier