Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG23M-E3/TR

KEY Part #: K6456943

BYG23M-E3/TR Kainodara (USD) [659064vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.05612
  • 1,800 pcs$0.04747
  • 3,600 pcs$0.04351
  • 5,400 pcs$0.04087
  • 12,600 pcs$0.03824
  • 45,000 pcs$0.03516

Dalies numeris:
BYG23M-E3/TR
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BYG23M-E3/TR3
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - SCR, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tranzistoriai - JFET ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG23M-E3/TR electronic components. BYG23M-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG23M-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG23M-E3/TR Produkto atributai

Dalies numeris : BYG23M-E3/TR
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1000V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.5A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.7V @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 75ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AC (SMA)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • VS-8EVH06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED

  • VS-6EVL06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.