GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-220

KEY Part #: K6444956

Išsamus aprašymas:: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - JFET, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tranzistoriai - IGBT - masyvai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 electronic components. GB10SLT12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10SLT12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : GB10SLT12-220

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC

Serija : -

Dalies būsena : Obsolete

Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 10A

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.8V @ 10A

Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 40µA @ 1200V

Talpa @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz

Montavimo tipas : Through Hole

Pakuotė / Byla : TO-220-2

Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AC

Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Karštos dalys