Rohm Semiconductor - 1SR159-200TE25

KEY Part #: K6457632

1SR159-200TE25 Kainodara (USD) [597199vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.07469
  • 1,500 pcs$0.07432

Dalies numeris:
1SR159-200TE25
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Rohm Semiconductor 1SR159-200TE25 electronic components. 1SR159-200TE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SR159-200TE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SR159-200TE25 Produkto atributai

Dalies numeris : 1SR159-200TE25
Gamintojas : Rohm Semiconductor
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Serija : -
Dalies būsena : Not For New Designs
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 980mV @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 200V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas : PMDS
Darbinė temperatūra - sankryža : 150°C (Max)

Galbūt jus taip pat domina
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM