Infineon Technologies - AUIRFZ34N

KEY Part #: K6419437

AUIRFZ34N Kainodara (USD) [112046vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.33011
  • 1,000 pcs$0.31324

Dalies numeris:
AUIRFZ34N
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - TRIAC and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFZ34N electronic components. AUIRFZ34N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFZ34N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFZ34N Produkto atributai

Dalies numeris : AUIRFZ34N
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Not For New Designs
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 55V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 29A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 40 mOhm @ 16A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 34nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 700pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 68W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina