Vishay Siliconix - SI1442DH-T1-GE3

KEY Part #: K6421573

SI1442DH-T1-GE3 Kainodara (USD) [853141vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04335
  • 3,000 pcs$0.04127

Dalies numeris:
SI1442DH-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI1442DH-T1-GE3 electronic components. SI1442DH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1442DH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1442DH-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI1442DH-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 12V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 4A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 1.8V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 20 mOhm @ 6A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 33nC @ 8V
VG (maks.) : ±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1010pF @ 6V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SC-70-6 (SOT-363)
Pakuotė / Byla : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363