[11800vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- MT53D4DBNW-DC
- Gamintojas:
- Micron Technology Inc.
- Išsamus aprašymas:
- LPDDR4 8G QDP. DRAM LPDDR4 8G QDP
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - „Swap“ valdikliai, Laikrodis / laikas - IC baterijos, PMIC - kintamosios srovės nuolatinės srovės keitik, Laikrodis / laikas - konkreti programa, PMIC - PFC (galios faktoriaus pataisa), PMIC - įtampos reguliatoriai - nuolatinės srovės n, Duomenų rinkimas - skaitmeniniai potenciometrai and Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT53D4DBNW-DC electronic components. MT53D4DBNW-DC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D4DBNW-DC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT53D4DBNW-DC Produkto atributai
Dalies numeris :
MT53D4DBNW-DC
Gamintojas :
Micron Technology Inc.
apibūdinimas :
LPDDR4 8G QDP
Serija :
*
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
-
Atminties formatas :
-
Technologija :
-
Atminties dydis :
-
Laikrodžio dažnis :
-
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
-
Prieigos laikas :
-
Atminties sąsaja :
-
Įtampa - tiekimas :
-
Darbinė temperatūra :
-
Montavimo tipas :
-
Pakuotė / Byla :
-
Tiekėjo įrenginio paketas :
-
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
IS61LPD51236A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v
-
IS61LPD102418A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v
-
IS62WV102416ALL-35TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16M (1Mx16) 35ns Async SRAM
-
IS43TR16512AL-15HBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16
-
IS43TR16512A-125KBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
-
MR4A16BYS35R
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2. NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Karštos dalys
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR