RGL41JHE3/97 Kainodara (USD) [765063vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05102
- 10,000 pcs$0.05076
- Dalies numeris:
- RGL41JHE3/97
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - SCR, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tiristoriai - TRIAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL41JHE3/97 electronic components. RGL41JHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL41JHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGL41JHE3/97 Produkto atributai
Dalies numeris :
RGL41JHE3/97
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Serija :
SUPERECTIFIER®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.3V @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
250ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-213AB, MELF (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-213AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
-
-
APT30DQ120KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V,TO-220, RoHS
-
S07G-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 500MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
S07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08