Vishay Siliconix - SI2369DS-T1-GE3

KEY Part #: K6417807

SI2369DS-T1-GE3 Kainodara (USD) [572521vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.06460
  • 3,000 pcs$0.06103

Dalies numeris:
SI2369DS-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - JFET, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - TRIAC, Diodai - RF and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI2369DS-T1-GE3 electronic components. SI2369DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2369DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2369DS-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI2369DS-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 7.6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 29 mOhm @ 5.4A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 36nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1295pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-236
Pakuotė / Byla : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3