Diodes Incorporated - DMN63D8LDWQ-7

KEY Part #: K6523159

DMN63D8LDWQ-7 Kainodara (USD) [1223462vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03023
  • 3,000 pcs$0.02802

Dalies numeris:
DMN63D8LDWQ-7
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Išsamus aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 electronic components. DMN63D8LDWQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN63D8LDWQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN63D8LDWQ-7 Produkto atributai

Dalies numeris : DMN63D8LDWQ-7
Gamintojas : Diodes Incorporated
apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : 2 N-Channel (Dual)
FET funkcija : Standard
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 220mA
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 22pF @ 25V
Galia - maks : 300mW
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-363

Galbūt jus taip pat domina