SCS308APC9 Kainodara (USD) [21799vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$1.98315
- 10 pcs$1.76941
- 25 pcs$1.59251
- 100 pcs$1.45092
- 250 pcs$1.30937
- 500 pcs$1.17489
- 1,000 pcs$0.94006
- 2,500 pcs$0.89305
- Dalies numeris:
- SCS308APC9
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP. Schottky Diodes & Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 8A
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - lygintuvai - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCS308APC9 electronic components. SCS308APC9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCS308APC9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCS308APC9 Produkto atributai
Dalies numeris :
SCS308APC9
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Silicon Carbide Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
650V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.5V @ 8A
Greitis :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
0ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
40µA @ 650V
Talpa @ Vr, F :
400pF @ 1V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas :
-
Darbinė temperatūra - sankryža :
175°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Karštos dalys
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18