Infineon Technologies - BSC670N25NSFDATMA1

KEY Part #: K6418490

BSC670N25NSFDATMA1 Kainodara (USD) [65866vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.59364
  • 5,000 pcs$0.54461

Dalies numeris:
BSC670N25NSFDATMA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies BSC670N25NSFDATMA1 electronic components. BSC670N25NSFDATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC670N25NSFDATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC670N25NSFDATMA1 Produkto atributai

Dalies numeris : BSC670N25NSFDATMA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON
Serija : OptiMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 250V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 24A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 67 mOhm @ 24A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 90µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 30nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2410pF @ 125V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 150W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TDSON-8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.