Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

KEY Part #: K939407

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Kainodara (USD) [25024vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.00029
  • 1,000 pcs$1.99034

Dalies numeris:
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
Gamintojas:
Micron Technology Inc.
Išsamus aprašymas:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Duomenų rinkimas - analoginis skaitmeninis keitikl, Įterptasis - mikrovaldiklis, mikroprocesorius, FPG, Sąsaja - CODEC, Specialusis garso įrašas, Logika - multivibratoriai, Sąsaja - jutiklis, talpinis prisilietimas, Įterptiniai - mikrovaldikliai and PMIC - įtampos reguliatoriai - linijinis + perjung ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR electronic components. MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Produkto atributai

Dalies numeris : MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
Gamintojas : Micron Technology Inc.
apibūdinimas : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Non-Volatile
Atminties formatas : FLASH
Technologija : FLASH - NAND
Atminties dydis : 2Gb (256M x 8)
Laikrodžio dažnis : -
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : -
Prieigos laikas : -
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 63-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 63-VFBGA

Galbūt jus taip pat domina
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.