Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JL R3G

KEY Part #: K6453081

RS1JL R3G Kainodara (USD) [1264657vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.02925

Dalies numeris:
RS1JL R3G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA. Rectifiers 1A, 600V, GP SMF FAST RECOVERY
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL R3G electronic components. RS1JL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JL R3G Produkto atributai

Dalies numeris : RS1JL R3G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 800mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.3V @ 800mA
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 250ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas : Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die