Vishay Siliconix - SIR870DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418682

SIR870DP-T1-GE3 Kainodara (USD) [72843vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.53678
  • 3,000 pcs$0.50291

Dalies numeris:
SIR870DP-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIR870DP-T1-GE3 electronic components. SIR870DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR870DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR870DP-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIR870DP-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 60A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 6 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 84nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2840pF @ 50V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8

Galbūt jus taip pat domina
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.