Microsemi Corporation - APT18M80B

KEY Part #: K6395050

APT18M80B Kainodara (USD) [10686vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$4.23953
  • 10 pcs$3.81602
  • 100 pcs$3.13765
  • 500 pcs$2.62883

Dalies numeris:
APT18M80B
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M80B electronic components. APT18M80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M80B Produkto atributai

Dalies numeris : APT18M80B
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Serija : POWER MOS 8™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 800V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 19A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 530 mOhm @ 9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 120nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3760pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 500W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247 [B]
Pakuotė / Byla : TO-247-3