Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. W947D6HBHX6E TR

Winbond Electronics - W947D6HBHX6E TR

KEY Part #: K942564

W947D6HBHX6E TR Kainodara (USD) [49022vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.01170
  • 2,500 pcs$1.00666
Dalies numeris:
W947D6HBHX6E TR
Gamintojas:
Winbond Electronics
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Logika - FIFOs atmintis, PMIC - įtampos reguliatoriai - linijiniai reguliat, PMIC - įtampos reguliatoriai - nuolatinės srovės n, Laikrodis / laikas - realaus laiko laikrodžiai, PMIC - ekrano tvarkyklės, Įterptiniai - mikroprocesoriai, Logika - vertėjai, lygio keitikliai and PMIC - „Swap“ valdikliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX6E TR electronic components. W947D6HBHX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX6E TR Produkto atributai

Dalies numeris : W947D6HBHX6E TR
Gamintojas : Winbond Electronics
apibūdinimas : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - Mobile LPDDR
Atminties dydis : 128Mb (8M x 16)
Laikrodžio dažnis : 166MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 5ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -25°C ~ 85°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-VFBGA (8x9)

Naujausios naujienos

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Galbūt jus taip pat domina
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Karštos dalys