Infineon Technologies - IPG20N06S2L65AATMA1

KEY Part #: K6523231

IPG20N06S2L65AATMA1 Kainodara (USD) [171012vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.21629
  • 5,000 pcs$0.18325

Dalies numeris:
IPG20N06S2L65AATMA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S2L65AATMA1 electronic components. IPG20N06S2L65AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S2L65AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S2L65AATMA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPG20N06S2L65AATMA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serija : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : 2 N-Channel (Dual)
FET funkcija : Logic Level Gate
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 55V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 20A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 65 mOhm @ 15A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2V @ 14µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 410pF @ 25V
Galia - maks : 43W
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 8-PowerVDFN
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TDSON-8-10

Galbūt jus taip pat domina
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.