BAS21LT3G Kainodara (USD) [5772927vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.00641
- 10,000 pcs$0.00598
- 30,000 pcs$0.00538
- 50,000 pcs$0.00479
- 100,000 pcs$0.00448
- 250,000 pcs$0.00399
- Dalies numeris:
- BAS21LT3G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 200mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor BAS21LT3G electronic components. BAS21LT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21LT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS21LT3G Produkto atributai
Dalies numeris :
BAS21LT3G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
250V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
200mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 200mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 200V
Talpa @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOT-23-3 (TO-236)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
-
FESB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 35ns Single
-
FESB8HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 8.0A 50ns Single
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G