Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. IS43DR86400E-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-25DBL

KEY Part #: K940668

IS43DR86400E-25DBL Kainodara (USD) [31414vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.73636
Dalies numeris:
IS43DR86400E-25DBL
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Atmintis - valdikliai, Laikrodis / laikas - delsimo eilutės, Sąsaja - balso įrašymas ir atkūrimas, Sąsaja - telekomunikacijos, Linijiniai - Stiprintuvai - Garsas, PMIC - „Swap“ valdikliai, Sąsaja - moduliai and PMIC - RMS į DC keitiklius ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL electronic components. IS43DR86400E-25DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400E-25DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-25DBL Produkto atributai

Dalies numeris : IS43DR86400E-25DBL
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR2
Atminties dydis : 512Mb (64M x 8)
Laikrodžio dažnis : 400MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 400ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.9V
Darbinė temperatūra : 0°C ~ 85°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-TWBGA (8x10.5)

Naujausios naujienos

Silicom MinnowBoard Turbot
Galbūt jus taip pat domina
  • W25M512JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 25LC1024-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • U62256AS2C07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • U62256AS2K07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • U62256ADC07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

Karštos dalys