Infineon Technologies - FF400R12KE3HOSA1

KEY Part #: K6532481

FF400R12KE3HOSA1 Kainodara (USD) [573vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$80.98891

Dalies numeris:
FF400R12KE3HOSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
IGBT MODULE 1200V 400A.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies FF400R12KE3HOSA1 electronic components. FF400R12KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF400R12KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF400R12KE3HOSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : FF400R12KE3HOSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : IGBT MODULE 1200V 400A
Serija : C
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : Trench Field Stop
Konfigūracija : Half Bridge
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 580A
Galia - maks : 2000W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 400A
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 5mA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 28nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : No
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 125°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : Module
Tiekėjo įrenginio paketas : Module

Galbūt jus taip pat domina
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.