ON Semiconductor - FDBL0150N60

KEY Part #: K6402015

FDBL0150N60 Kainodara (USD) [31533vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.31350
  • 2,000 pcs$1.30696

Dalies numeris:
FDBL0150N60
Gamintojas:
ON Semiconductor
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 300A.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ON Semiconductor FDBL0150N60 electronic components. FDBL0150N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDBL0150N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDBL0150N60 Produkto atributai

Dalies numeris : FDBL0150N60
Gamintojas : ON Semiconductor
apibūdinimas : MOSFET N-CH 60V 300A
Serija : PowerTrench®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 240A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 1.5 mOhm @ 80A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 169nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 10300pF @ 30V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 357W (Tj)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : 8-HPSOF
Pakuotė / Byla : 8-PowerSFN

Galbūt jus taip pat domina
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.