ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16640C-3DBI-TR

KEY Part #: K938180

Išsamus aprašymas:: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - lazeriniai vairuotojai, Laikrodis / laikas - realaus laiko laikrodžiai, PMIC - akumuliatorių valdymas, PMIC - įtampos reguliatoriai - linijinis + perjung, Sąsaja - signalų buferiai, kartotuvai, skirstytuva, PMIC - LED tvarkyklės, Sąsaja - analoginiai jungikliai - specialios paski and Sąsaja - balso įrašymas ir atkūrimas ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBI-TR electronic components. IS43DR16640C-3DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16640C-3DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : IS43DR16640C-3DBI-TR

Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

apibūdinimas : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Serija : -

Dalies būsena : Active

Atminties tipas : Volatile

Atminties formatas : DRAM

Technologija : SDRAM - DDR2

Atminties dydis : 1Gb (64M x 16)

Laikrodžio dažnis : 333MHz

Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns

Prieigos laikas : 450ns

Atminties sąsaja : Parallel

Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.9V

Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)

Montavimo tipas : Surface Mount

Pakuotė / Byla : 84-TFBGA

Tiekėjo įrenginio paketas : 84-TFBGA (12.5x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Galbūt jus taip pat domina

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Karštos dalys