IDW30E65D1FKSA1 Kainodara (USD) [33046vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.76930
- 10 pcs$0.68945
- 100 pcs$0.55432
- 500 pcs$0.45543
- 1,000 pcs$0.37735
- Dalies numeris:
- IDW30E65D1FKSA1
- Gamintojas:
- Infineon Technologies
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Infineon Technologies IDW30E65D1FKSA1 electronic components. IDW30E65D1FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW30E65D1FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDW30E65D1FKSA1 Produkto atributai
Dalies numeris :
IDW30E65D1FKSA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
650V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
60A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.7V @ 30A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
115ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
40µA @ 650V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-247-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-247-3
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
Karštos dalys
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18