Vishay Siliconix - SI4992EY-T1-GE3

KEY Part #: K6524084

[4654vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    SI4992EY-T1-GE3
    Gamintojas:
    Vishay Siliconix
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tiristoriai - SCR ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4992EY-T1-GE3 electronic components. SI4992EY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4992EY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4992EY-T1-GE3 Produkto atributai

    Dalies numeris : SI4992EY-T1-GE3
    Gamintojas : Vishay Siliconix
    apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
    Serija : TrenchFET®
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : 2 N-Channel (Dual)
    FET funkcija : Logic Level Gate
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 75V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 3.6A
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 48 mOhm @ 4.8A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
    Galia - maks : 1.4W
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Tiekėjo įrenginio paketas : 8-SO

    Galbūt jus taip pat domina