Infineon Technologies - IPZ60R041P6FKSA1

KEY Part #: K6401827

IPZ60R041P6FKSA1 Kainodara (USD) [2916vnt. sandėlyje]

  • 240 pcs$4.24387

Dalies numeris:
IPZ60R041P6FKSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V TO247-4.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPZ60R041P6FKSA1 electronic components. IPZ60R041P6FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ60R041P6FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R041P6FKSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPZ60R041P6FKSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V TO247-4
Serija : CoolMOS™ P6
Dalies būsena : Obsolete
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 77.5A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 41 mOhm @ 35.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 2.96mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 170nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 8180pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 481W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TO247-4
Pakuotė / Byla : TO-247-4

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.