Dalies numeris :
TK8R2A06PL,S4X
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
50A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 300µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
28.4nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1990pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
36W (Tc)
Darbinė temperatūra :
175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-220SIS
Pakuotė / Byla :
TO-220-3 Full Pack