Infineon Technologies - IPB096N03LGATMA1

KEY Part #: K6407691

[886vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    IPB096N03LGATMA1
    Gamintojas:
    Infineon Technologies
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1 electronic components. IPB096N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB096N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB096N03LGATMA1 Produkto atributai

    Dalies numeris : IPB096N03LGATMA1
    Gamintojas : Infineon Technologies
    apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
    Serija : OptiMOS™
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : N-Channel
    Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 35A (Tc)
    Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 9.6 mOhm @ 30A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 250µA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 15nC @ 10V
    VG (maks.) : ±20V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1600pF @ 15V
    FET funkcija : -
    Galios išsklaidymas (maks.) : 42W (Tc)
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK (TO-263AB)
    Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Galbūt jus taip pat domina
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR15N20DTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.