Vishay Semiconductor Diodes Division - UGF15JTHE3/45

KEY Part #: K6445580

UGF15JTHE3/45 Kainodara (USD) [2059vnt. sandėlyje]

  • 1,000 pcs$0.43286

Dalies numeris:
UGF15JTHE3/45
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 15A ITO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGF15JTHE3/45 electronic components. UGF15JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGF15JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGF15JTHE3/45 Produkto atributai

Dalies numeris : UGF15JTHE3/45
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 15A ITO220AC
Serija : -
Dalies būsena : Obsolete
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 15A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.75V @ 15A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 30µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Tiekėjo įrenginio paketas : ITO-220AC
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode