Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1B-1HE3/5CA

KEY Part #: K6440027

[3958vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    EGF1B-1HE3/5CA
    Gamintojas:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1B-1HE3/5CA electronic components. EGF1B-1HE3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1B-1HE3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGF1B-1HE3/5CA Produkto atributai

    Dalies numeris : EGF1B-1HE3/5CA
    Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
    Serija : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    Dalies būsena : Discontinued at Digi-Key
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1V @ 1A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 100V
    Talpa @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : DO-214BA
    Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214BA (GF1)
    Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

    Galbūt jus taip pat domina
    • MMBD1501A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

    • BAS29

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

    • SD103CW-G3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM

    • 1N4151W-HE3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns

    • 1N4448W-G3-18

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

    • BAV21W-G3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM