UGB8JTHE3/45 Kainodara (USD) [115017vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.32158
- 1,000 pcs$0.29277
- Dalies numeris:
- UGB8JTHE3/45
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - tiltiniai lygintuvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JTHE3/45 electronic components. UGB8JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8JTHE3/45 Produkto atributai
Dalies numeris :
UGB8JTHE3/45
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.75V @ 8A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
30µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-263AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
Karštos dalys
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18