Infineon Technologies - IPB65R045C7ATMA1

KEY Part #: K6403081

IPB65R045C7ATMA1 Kainodara (USD) [2482vnt. sandėlyje]

  • 1,000 pcs$3.51888

Dalies numeris:
IPB65R045C7ATMA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA1 electronic components. IPB65R045C7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R045C7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R045C7ATMA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPB65R045C7ATMA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
Serija : CoolMOS™ C7
Dalies būsena : Discontinued at Digi-Key
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 46A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 45 mOhm @ 24.9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 1.25mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 93nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 4340pF @ 400V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 227W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK (TO-263AB)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB