ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR81280B-25DBLI-TR

KEY Part #: K936855

IS43DR81280B-25DBLI-TR Kainodara (USD) [15222vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.60147
  • 2,000 pcs$3.58355

Dalies numeris:
IS43DR81280B-25DBLI-TR
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA. DRAM 1G (128Mx8) 400MHz DDR2 1.8v
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Sąsaja - kodavimo įrenginiai, dekoderiai, keitikli, PMIC - energijos matavimas, Logika - signalų jungikliai, multiplekseriai, deko, Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Duomenų gavimas - jutiklinio ekrano valdikliai, PMIC - „Swap“ valdikliai, Logika - pariteto generatoriai ir šaškės and Logika - vartai ir keitikliai - daugiafunkciniai, ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25DBLI-TR electronic components. IS43DR81280B-25DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR81280B-25DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR81280B-25DBLI-TR Produkto atributai

Dalies numeris : IS43DR81280B-25DBLI-TR
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR2
Atminties dydis : 1Gb (128M x 8)
Laikrodžio dažnis : 400MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 400ps
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.9V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-TWBGA (8x10.5)

Naujausios naujienos

Galbūt jus taip pat domina
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16