Global Power Technologies Group - GP2M004A060PG

KEY Part #: K6402594

GP2M004A060PG Kainodara (USD) [2649vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.66060
  • 10 pcs$0.58450
  • 100 pcs$0.46200
  • 500 pcs$0.33890
  • 1,000 pcs$0.26756

Dalies numeris:
GP2M004A060PG
Gamintojas:
Global Power Technologies Group
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Global Power Technologies Group GP2M004A060PG electronic components. GP2M004A060PG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M004A060PG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP2M004A060PG Produkto atributai

Dalies numeris : GP2M004A060PG
Gamintojas : Global Power Technologies Group
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Serija : -
Dalies būsena : Obsolete
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 4A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.5 Ohm @ 2A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 12nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 545pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 86.2W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : I-PAK
Pakuotė / Byla : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Galbūt jus taip pat domina
  • CPH6354-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • TN0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.